檢索結果：共22筆資料 檢索策略： "SiC".ekeyword (精準) and cdept.raw="機械工程系"
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4H碳化矽基板作為高功率半導體重要材料，表面的缺陷對後續元件品質有很大的影響，本研究探討基板材料中的碳包裹物缺陷對磊晶後的表面缺陷有何影響。材料選用6吋N-Type晶圓，在表面以微分干涉影像與光致發…
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單晶碳化矽晶圓(Silicon Carbide, SiC)在高功率元件裡相較於單晶單化矽(Silicon)具有高崩潰電壓高寬能隙、高崩潰電壓及高熱傳導率，然而單晶碳化矽具有高硬度(Mohs 9.2)…
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單晶碳化矽晶圓(SiC)為一高崩潰電壓及低阻抗的材料，因此在高功率元件市場上有較大之需求，然而因單晶碳化矽晶圓之高硬度、高抗化學性等性質，使其在製造過程有加工時間繁長及成本高等問題。本研究主要針對單…
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鎂基複合材料具有比鎂合金相對優異的力學性能，經由在基材中加入陶瓷顆粒、纖維、晶鬚等強化相，使基材與與強化相擁有良好的結合性，進一步提升複合材料之機械性質。 本研究的基材選用AZ31鎂合金添加重量百分…
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摘要 本研究在MgYZn合金(Mg97Y2Zn1)內分別添加5 wt%及10 wt%的碳化矽(SiC)粉末使用兩階段鑄造方法製備鎂基複合材料，探討其顯微結構、機械性質及腐蝕行為。 研究結果顯示MgY…
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單晶碳化矽基板(Silicon Carbide, SiC)，具有高崩潰電壓(High Breakdown Voltage)及低的阻抗, 因此在高功率元件市場的潛力無窮，但單晶碳化矽基板也因高硬度及高…
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單晶碳化矽因材料特性上擁有多項優點，於功率元件市場中備受重視，然而其高硬度及耐化學性質造成基板製造之困難，本研究分別從磨料移除材料和線網運動觀點分析複線式鑽石線鋸加工製程(Multi-wire di…
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本研究利用鑄造方式製備AZ61鎂基複合材料，使用微米SiC顆粒作為所需添加的強化相，並以攪拌鑄造法的製程將強化相融入AZ61鎂合金中，強化相添加比例分別為1wt.%及2wt.%，之後對材料進行T4固…
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本研究之內容為針對高壓電纜的五分割導體，進行模具開發及電纜之試生產，主要利用壓縮率法，以不同的壓縮率進行壓輪模具的設計，生產測試的方式則使用試誤法。共進行三次的試生產，第一次試生產只進行18 B (…
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本文主要為探討利用氬銲被覆陶瓷粉末及不同合金粉末於球墨鑄鐵表面之磨耗行為研究，主要以SiC陶瓷粉末為基礎粉末，並添加Cr、Mo、Ni等元素粉末，以探討不同元素對被覆層的影響，並藉由被覆層中的顯微組織…